casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2S30900L
codice articolo del costruttore | DB2S30900L |
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Numero di parte futuro | FT-DB2S30900L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2S30900L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini2-F5-B |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2S30900L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2S30900L-FT |
RB085BM-40TL
Rohm Semiconductor
RF301B2STL
Rohm Semiconductor
RF301BM2STL
Rohm Semiconductor
RF305B6STL
Rohm Semiconductor
RF305BM6STL
Rohm Semiconductor
RF501B2STL
Rohm Semiconductor
RF501BM2STL
Rohm Semiconductor
RF505B6STL
Rohm Semiconductor
RF505BM6STL
Rohm Semiconductor
RFN10B3STL
Rohm Semiconductor
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel