casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2J31100L
codice articolo del costruttore | DB2J31100L |
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Numero di parte futuro | FT-DB2J31100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2J31100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.2ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2J31100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2J31100L-FT |
VS-72HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HF80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFLR100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFLR60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel