casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2730900L
codice articolo del costruttore | DB2730900L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DB2730900L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2730900L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini2-F4-B |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2730900L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2730900L-FT |
DAN212KT146
Rohm Semiconductor
RB400DFHT146
Rohm Semiconductor
RB420DFHT146
Rohm Semiconductor
RB421DT146
Rohm Semiconductor
RB161QS-40T18R
Rohm Semiconductor
RB521ES-30T15R
Rohm Semiconductor
RB521FS-30T40RB
Rohm Semiconductor
SCS302AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS306AJTLL
Rohm Semiconductor
SCS308AJTLL
Rohm Semiconductor
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel