casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB152TB
codice articolo del costruttore | DB152TB |
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Numero di parte futuro | FT-DB152TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB152TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB-M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB152TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB152TB-FT |
GBJ2504TB
SMC Diode Solutions
GBJ2508TB
SMC Diode Solutions
GBJ35005TB
SMC Diode Solutions
GBJ3501TB
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GBJ3502TB
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GBJ3504TB
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GBJ3508TB
SMC Diode Solutions
GBJ6005TB
SMC Diode Solutions
GBJ601TB
SMC Diode Solutions
GBJ602TB
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LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel