casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB103STR
codice articolo del costruttore | DB103STR |
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Numero di parte futuro | FT-DB103STR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB103STR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB-S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB103STR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB103STR-FT |
TS35P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel