casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB102TB
codice articolo del costruttore | DB102TB |
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Numero di parte futuro | FT-DB102TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB102TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB-M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB102TB-FT |
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
SMC Diode Solutions
GBJ25005TB
SMC Diode Solutions
GBJ2501TB
SMC Diode Solutions
GBJ2502TB
SMC Diode Solutions
GBJ2504TB
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GBJ2508TB
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GBJ35005TB
SMC Diode Solutions
GBJ3501TB
SMC Diode Solutions
GBJ3502TB
SMC Diode Solutions
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation