casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB101STR
codice articolo del costruttore | DB101STR |
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Numero di parte futuro | FT-DB101STR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB101STR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB-S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB101STR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB101STR-FT |
TS35P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel