casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DA6X109W0R
codice articolo del costruttore | DA6X109W0R |
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Numero di parte futuro | FT-DA6X109W0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DA6X109W0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini6-G4-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA6X109W0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DA6X109W0R-FT |
LQA40T150C
Power Integrations
LXA08T600C
Power Integrations
LXA12T600C
Power Integrations
APT10SCD65KCT
Microsemi Corporation
APT15S20KCTG
Microsemi Corporation
APT8DQ60KCTG
Microsemi Corporation
BYQ42E-200Q
WeEn Semiconductors
BYV32E-200PQ
WeEn Semiconductors
FST20150
Microsemi Corporation
FST20150E3
Microsemi Corporation
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel