casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DA6X106U0R
codice articolo del costruttore | DA6X106U0R |
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Numero di parte futuro | FT-DA6X106U0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DA6X106U0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini6-G4-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA6X106U0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DA6X106U0R-FT |
16CTQ150
SMC Diode Solutions
16CTQ200
SMC Diode Solutions
LQA20T150C
Power Integrations
LQA30T150C
Power Integrations
MBR10150CT-G1
Diodes Incorporated
LQA10T150C
Power Integrations
LQA12T300C
Power Integrations
LQA32T300C
Power Integrations
LQA40T150C
Power Integrations
LXA08T600C
Power Integrations
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel