casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DA6X103T0R
codice articolo del costruttore | DA6X103T0R |
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Numero di parte futuro | FT-DA6X103T0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DA6X103T0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini6-G4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA6X103T0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DA6X103T0R-FT |
MBR10150CT-G1
Diodes Incorporated
LQA10T150C
Power Integrations
LQA12T300C
Power Integrations
LQA32T300C
Power Integrations
LQA40T150C
Power Integrations
LXA08T600C
Power Integrations
LXA12T600C
Power Integrations
APT10SCD65KCT
Microsemi Corporation
APT15S20KCTG
Microsemi Corporation
APT8DQ60KCTG
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel