casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DA6X102S0R
codice articolo del costruttore | DA6X102S0R |
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Numero di parte futuro | FT-DA6X102S0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DA6X102S0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini6-G4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DA6X102S0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DA6X102S0R-FT |
LQA20T150C
Power Integrations
LQA30T150C
Power Integrations
MBR10150CT-G1
Diodes Incorporated
LQA10T150C
Power Integrations
LQA12T300C
Power Integrations
LQA32T300C
Power Integrations
LQA40T150C
Power Integrations
LXA08T600C
Power Integrations
LXA12T600C
Power Integrations
APT10SCD65KCT
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel