casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / D16-4150E3/TU
codice articolo del costruttore | D16-4150E3/TU |
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Numero di parte futuro | FT-D16-4150E3/TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D16-4150E3/TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 8 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D16-4150E3/TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D16-4150E3/TU-FT |
MMBD4448DW-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HADW-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HAQW-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HCDW-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HSDW-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HTW-7
Diodes Incorporated
SD103ATW-7
Diodes Incorporated
PDU620CT-13
Diodes Incorporated
PDS1040CTL-13
Diodes Incorporated
PDS1240CTL-13
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel