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codice articolo del costruttore | D12390TE20V |
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Numero di parte futuro | FT-D12390TE20V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8S/2300 |
D12390TE20V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8S/2000 |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 20MHz |
Connettività | SCI, SmartCard |
periferiche | DMA, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 87 |
Dimensione della memoria del programma | - |
Programma tipo di memoria | ROMless |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 4K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 4.5V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D12390TE20V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D12390TE20V-FT |
R5F72166ADFA#V1
Renesas Electronics America
R5F72167GDFA#V1
Renesas Electronics America
R5F72865D100FA#U2
Renesas Electronics America
R5F72865N100FA#U2
Renesas Electronics America
R5F72867N100FA#U2
Renesas Electronics America
HD64F7065AF60V
Renesas Electronics America
R5F72167ADFA#V1
Renesas Electronics America
DF2166VT33WV
Renesas Electronics America
DF2117RVT20V
Renesas Electronics America
R4F2113NFT#U0
Renesas Electronics America
LCMXO2-7000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4008E-2PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
5SGXMABN3F45C4N
Intel
AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation