casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D1030N22TPRXOSA1
codice articolo del costruttore | D1030N22TPRXOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D1030N22TPRXOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D1030N22TPRXOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1030A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.11V @ 1000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | BG-D5726K-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 160°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1030N22TPRXOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D1030N22TPRXOSA1-FT |
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel