casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D1030N22TPRXOSA1
codice articolo del costruttore | D1030N22TPRXOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D1030N22TPRXOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D1030N22TPRXOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1030A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.11V @ 1000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | BG-D5726K-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 160°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1030N22TPRXOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D1030N22TPRXOSA1-FT |
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel