casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D1030N22TPRXOSA1
codice articolo del costruttore | D1030N22TPRXOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D1030N22TPRXOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D1030N22TPRXOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1030A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.11V @ 1000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | BG-D5726K-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 160°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1030N22TPRXOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D1030N22TPRXOSA1-FT |
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.