casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D1030N22TPRXOSA1
codice articolo del costruttore | D1030N22TPRXOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D1030N22TPRXOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D1030N22TPRXOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1030A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.11V @ 1000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40mA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | BG-D5726K-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 160°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1030N22TPRXOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D1030N22TPRXOSA1-FT |
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel