casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CZDM1003N BK
codice articolo del costruttore | CZDM1003N BK |
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Numero di parte futuro | FT-CZDM1003N BK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CZDM1003N BK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CZDM1003N BK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CZDM1003N BK-FT |
ZVN2120GTA
Diodes Incorporated
ZVN4206GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GVTA
Diodes Incorporated
ZVN4424GTA
Diodes Incorporated
ZVN4525GTA
Diodes Incorporated
ZVNL120GTA
Diodes Incorporated
ZXMN0545G4TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08GQTC
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel