casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CYDM064B08-40BVXI
codice articolo del costruttore | CYDM064B08-40BVXI |
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Numero di parte futuro | FT-CYDM064B08-40BVXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CYDM064B08-40BVXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, MoBL |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 40ns |
Tempo di accesso | 40ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-VFBGA (6x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CYDM064B08-40BVXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CYDM064B08-40BVXI-FT |
IDT71V3558S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S166BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel