casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7S1041GE30-10BVXIT
codice articolo del costruttore | CY7S1041GE30-10BVXIT |
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Numero di parte futuro | FT-CY7S1041GE30-10BVXIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7S1041GE30-10BVXIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7S1041GE30-10BVXIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7S1041GE30-10BVXIT-FT |
CY62137EV30LL-45BVXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061G30-10BV1XE
Cypress Semiconductor Corp
CY62147EV30LL-45B2XA
Cypress Semiconductor Corp
CY62147EV30LL-45BVI
Cypress Semiconductor Corp
CY62147EV30LL-45BVXA
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041G30-10BVJXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041GE30-10BVXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62146G30-45BVXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041G30-10BVXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62147EV30LL-45B2XI
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel