casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C197N-25PXC
codice articolo del costruttore | CY7C197N-25PXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C197N-25PXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C197N-25PXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (256K x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C197N-25PXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C197N-25PXC-FT |
6116SA20SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA20SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA25SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA25SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA15SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA35SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28BV16-25SC
Microchip Technology
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel