casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1623KV18-333BZXC
codice articolo del costruttore | CY7C1623KV18-333BZXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1623KV18-333BZXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1623KV18-333BZXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1623KV18-333BZXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1623KV18-333BZXC-FT |
S29GL128S90DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel