casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1615KV18-300BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1615KV18-300BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1615KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1615KV18-300BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1615KV18-300BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1615KV18-300BZXI-FT |
S29GL128S11DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel