casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1612KV18-360BZXC
codice articolo del costruttore | CY7C1612KV18-360BZXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1612KV18-360BZXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1612KV18-360BZXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frequenza di clock | 360MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-360BZXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1612KV18-360BZXC-FT |
S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel