casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1612KV18-360BZXC
codice articolo del costruttore | CY7C1612KV18-360BZXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1612KV18-360BZXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1612KV18-360BZXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frequenza di clock | 360MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-360BZXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1612KV18-360BZXC-FT |
S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS40
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