casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1612KV18-250BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1612KV18-250BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1612KV18-250BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1612KV18-250BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-250BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1612KV18-250BZXI-FT |
S29GL128S10DHV013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10DHV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S11DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel