casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1512V18-250BZI
codice articolo del costruttore | CY7C1512V18-250BZI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1512V18-250BZI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512V18-250BZI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512V18-250BZI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1512V18-250BZI-FT |
CY7C1414AV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-200BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414BV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414BV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414BV18-200BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414BV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel