casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1512KV18-333BZI
codice articolo del costruttore | CY7C1512KV18-333BZI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1512KV18-333BZI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512KV18-333BZI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512KV18-333BZI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1512KV18-333BZI-FT |
CY7C1382DV33-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2270KV18-550BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25442KV18-300BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2562XV18-450BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1420KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1565KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25652KV18-500BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1518KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1423KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel