casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1460KV25-200BZXI
codice articolo del costruttore | CY7C1460KV25-200BZXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1460KV25-200BZXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NoBL™ |
CY7C1460KV25-200BZXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.375V ~ 2.625V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1460KV25-200BZXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1460KV25-200BZXI-FT |
S29GL01GS12DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS12DHVV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS12DHVV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11DHV023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel