casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1423KV18-300BZC
codice articolo del costruttore | CY7C1423KV18-300BZC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1423KV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1423KV18-300BZC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1423KV18-300BZC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1423KV18-300BZC-FT |
S34ML08G201TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8
Intel
10CL010YU256C8G
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.