casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1370D-200BZIT
codice articolo del costruttore | CY7C1370D-200BZIT |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1370D-200BZIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NoBL™ |
CY7C1370D-200BZIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1370D-200BZIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1370D-200BZIT-FT |
CY7C1312TV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1313BV18-167BZC
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CY7C1313BV18-167BZCT
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CY7C1313BV18-200BZC
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CY7C1313BV18-250BZC
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CY7C1313CV18-167BZC
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CY7C1313CV18-200BZC
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CY7C1313CV18-200BZXI
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CY7C1313CV18-250BZC
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CY7C1313CV18-250BZI
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