casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1360S-200BGCT
codice articolo del costruttore | CY7C1360S-200BGCT |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1360S-200BGCT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1360S-200BGCT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1360S-200BGCT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1360S-200BGCT-FT |
71V65803S133BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S150BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S150BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65903S80BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65903S80BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65903S80BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65903S80BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65903S85BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65903S85BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation