casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1320KV18-250BZC
codice articolo del costruttore | CY7C1320KV18-250BZC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1320KV18-250BZC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1320KV18-250BZC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1320KV18-250BZC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1320KV18-250BZC-FT |
CY7C1515KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1568KV18-450BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1313KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1314KV18-250BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1315KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1318KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1318KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25632KV18-550BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1245KV18-400BZXI
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel