casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1314KV18-250BZCT
codice articolo del costruttore | CY7C1314KV18-250BZCT |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1314KV18-250BZCT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1314KV18-250BZCT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1314KV18-250BZCT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1314KV18-250BZCT-FT |
CY7C1515KV18-333BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1518KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1518KV18-333BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-250BZCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-250BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-250BZIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-333BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1521KV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel