casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C131-55NXC
codice articolo del costruttore | CY7C131-55NXC |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C131-55NXC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C131-55NXC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-QFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PQFP (10x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C131-55NXC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C131-55NXC-FT |
71342SA20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71342SA20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71342SA25PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71342SA25PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71342SA35PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71342SA35PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71342SA55PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7140LA100PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
7140LA100PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7140LA20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel