casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C12631KV18-400BZI
codice articolo del costruttore | CY7C12631KV18-400BZI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C12631KV18-400BZI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C12631KV18-400BZI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C12631KV18-400BZI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C12631KV18-400BZI-FT |
CY7C25702KV18-550BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25702KV18-550BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2570XV18-600BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2570XV18-633BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1143KV18-400BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1145KV18-400BZXCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1145KV18-400BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1145KV18-450BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1145LV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1163KV18-400BZI
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel