casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1061GE18-15BV1XI
codice articolo del costruttore | CY7C1061GE18-15BV1XI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1061GE18-15BV1XI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1061GE18-15BV1XI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1061GE18-15BV1XI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1061GE18-15BV1XI-FT |
CY7C1061GE18-15BVJXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE18-15BVXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE18-15BVXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE30-10BV1XI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE30-10BV1XIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE30-10BVJXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GE30-10BVXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GN30-10BVJXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GN30-10BVJXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1061GN30-10BVXIT
Cypress Semiconductor Corp
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
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10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel