casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1051H30-10BV1XE
codice articolo del costruttore | CY7C1051H30-10BV1XE |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1051H30-10BV1XE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1051H30-10BV1XE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-VFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1051H30-10BV1XE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1051H30-10BV1XE-FT |
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
Maxim Integrated
DS1225AD-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-120IND+
Maxim Integrated
DS1225AD-85+
Maxim Integrated
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel