casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY7C1019D-10ZSXI
codice articolo del costruttore | CY7C1019D-10ZSXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY7C1019D-10ZSXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1019D-10ZSXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1019D-10ZSXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY7C1019D-10ZSXI-FT |
S25FL129P0XBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHIY00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHIY03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHIY10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHIY13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHV200
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHV203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL129P0XBHV213
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel