casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY62162G18-55BGXI
codice articolo del costruttore | CY62162G18-55BGXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY62162G18-55BGXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62162G18-55BGXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62162G18-55BGXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY62162G18-55BGXI-FT |
S25FL164K0XMFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL164K0XMFV000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL164K0XMFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL164K0XMFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFAG10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFAG11
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFAG13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFB003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFBG00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFBG01
Cypress Semiconductor Corp
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel