casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY22E016L-SZ35XI
codice articolo del costruttore | CY22E016L-SZ35XI |
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Numero di parte futuro | FT-CY22E016L-SZ35XI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY22E016L-SZ35XI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY22E016L-SZ35XI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY22E016L-SZ35XI-FT |
AT28C64B-15SA
Microchip Technology
AT28C64B-15SC
Microchip Technology
AT28C64B-15SI
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AT28C64E-12SC
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AT28C64E-12SI
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AT28C64E-12SU
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AT28C64E-15SC
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AT28C64E-15SI
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AT28C64E-20SC
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AT28C64E-20SI
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
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