casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY15B104Q-LHXI
codice articolo del costruttore | CY15B104Q-LHXI |
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Numero di parte futuro | FT-CY15B104Q-LHXI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | F-RAM™ |
CY15B104Q-LHXI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | 40MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY15B104Q-LHXI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY15B104Q-LHXI-FT |
W25Q16CVZPIG
Winbond Electronics
W25Q16CVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIG
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q16DVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG
Winbond Electronics
W25Q16DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q20CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q20EWZPIG TR
Winbond Electronics
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation