casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY14B116N-BZ25XI
codice articolo del costruttore | CY14B116N-BZ25XI |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CY14B116N-BZ25XI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14B116N-BZ25XI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B116N-BZ25XI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY14B116N-BZ25XI-FT |
S29GL01GS10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.