casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY14B108M-ZSP45XIT
codice articolo del costruttore | CY14B108M-ZSP45XIT |
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Numero di parte futuro | FT-CY14B108M-ZSP45XIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14B108M-ZSP45XIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B108M-ZSP45XIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY14B108M-ZSP45XIT-FT |
S29GL256P11TFIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512N11TFVR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFCR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFCR10D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFCR20D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR10D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR20
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel