casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY14B108M-ZSP25XIT
codice articolo del costruttore | CY14B108M-ZSP25XIT |
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Numero di parte futuro | FT-CY14B108M-ZSP25XIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14B108M-ZSP25XIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B108M-ZSP25XIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY14B108M-ZSP25XIT-FT |
S29GL256P11TFI020D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11TFIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512N11TFVR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFCR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFCR10D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFCR20D
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10TFIR10D
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel