casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CY14B104LA-ZS20XI
codice articolo del costruttore | CY14B104LA-ZS20XI |
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Numero di parte futuro | FT-CY14B104LA-ZS20XI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14B104LA-ZS20XI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B104LA-ZS20XI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CY14B104LA-ZS20XI-FT |
CY62157ESL-45ZSXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62158ELL-45ZSXI
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CY14E116L-ZS25XI
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CY14B108L-ZS45XI
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CY14B116K-ZS25XI
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CY621472G30-45ZSXI
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CY15B102N-ZS60XA
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CY62147G30-45ZSXI
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CY7C1011G30-12ZSXE
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CY14B104NA-ZS20XI
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