casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CXDM1002N TR
codice articolo del costruttore | CXDM1002N TR |
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Numero di parte futuro | FT-CXDM1002N TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CXDM1002N TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CXDM1002N TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CXDM1002N TR-FT |
DMP1012UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP1012UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2021UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2023UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP2035UFDF-13
Diodes Incorporated
DMP2040UFDF-13
Diodes Incorporated
DMT2004UFDF-13
Diodes Incorporated
DMT3006LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT3008LFDF-13
Diodes Incorporated
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel