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codice articolo del costruttore | CW252016-56NJ |
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Numero di parte futuro | FT-CW252016-56NJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CW252016 |
CW252016-56NJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 56nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 600mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 60 @ 350MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1.3GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW252016-56NJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CW252016-56NJ-FT |
SDR0503-103J
Bourns Inc.
SDR0503-150M
Bourns Inc.
SDR0503-151K
Bourns Inc.
SDR0503-152J
Bourns Inc.
SDR0503-153J
Bourns Inc.
SDR0503-220M
Bourns Inc.
SDR0503-221K
Bourns Inc.
SDR0503-222J
Bourns Inc.
SDR0503-330K
Bourns Inc.
SDR0503-331K
Bourns Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation