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codice articolo del costruttore | CV201210-R82K |
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Numero di parte futuro | FT-CV201210-R82K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CV201210 |
CV201210-R82K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 100MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R82K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CV201210-R82K-FT |
CW100505-3N9J
Bourns Inc.
CW100505-10NJ
Bourns Inc.
CW100505-22NJ
Bourns Inc.
CW100505-68NJ
Bourns Inc.
CW100505-R12J
Bourns Inc.
CW100505-56NJ
Bourns Inc.
CW100505-8N2J
Bourns Inc.
CW100505-18NJ
Bourns Inc.
CW100505-1N0D
Bourns Inc.
CW100505-27NJ
Bourns Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel