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codice articolo del costruttore | CV201210-R47K |
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Numero di parte futuro | FT-CV201210-R47K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CV201210 |
CV201210-R47K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 125MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R47K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CV201210-R47K-FT |
CW100505-82NJ
Bourns Inc.
CW100505-3N9J
Bourns Inc.
CW100505-10NJ
Bourns Inc.
CW100505-22NJ
Bourns Inc.
CW100505-68NJ
Bourns Inc.
CW100505-R12J
Bourns Inc.
CW100505-56NJ
Bourns Inc.
CW100505-8N2J
Bourns Inc.
CW100505-18NJ
Bourns Inc.
CW100505-1N0D
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel