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codice articolo del costruttore | CV201210-180K |
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Numero di parte futuro | FT-CV201210-180K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CV201210 |
CV201210-180K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 18µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 5mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 1MHz |
Frequenza - Autorisonante | 18MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-180K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CV201210-180K-FT |
CW160808-R12G
Bourns Inc.
CW160808-R12J
Bourns Inc.
CW160808-R15G
Bourns Inc.
CW160808-R15J
Bourns Inc.
CW160808-R18G
Bourns Inc.
CW160808-R18J
Bourns Inc.
CW160808-R22G
Bourns Inc.
CW160808-R27G
Bourns Inc.
CW160808-R27J
Bourns Inc.
CW160808-R39J
Bourns Inc.
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel