casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CURM104-G
codice articolo del costruttore | CURM104-G |
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Numero di parte futuro | FT-CURM104-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CURM104-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123T |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini SMA/SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CURM104-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CURM104-G-FT |
SBR0220LP-7
Diodes Incorporated
BAS16HLP-7
Diodes Incorporated
BAS16LP-7
Diodes Incorporated
BAT54LP-7B
Diodes Incorporated
SBR0240LP-7
Diodes Incorporated
SDM10U45LP-7
Diodes Incorporated
SBR02U100LPQ-7
Diodes Incorporated
SBR02U100LPQ-7B
Diodes Incorporated
SBR02U30LP-7
Diodes Incorporated
SBRT05U10LP-7B
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel