casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CURC304-G
codice articolo del costruttore | CURC304-G |
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Numero di parte futuro | FT-CURC304-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CURC304-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CURC304-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CURC304-G-FT |
CSFA104-G
Comchip Technology
CURA103-G
Comchip Technology
CURA104-G
Comchip Technology
CURA107-HF
Comchip Technology
CDBA1100-G
Comchip Technology
CDBA120-G
Comchip Technology
CDBA120L-G
Comchip Technology
CDBA120LL-G
Comchip Technology
CDBA120LL-HF
Comchip Technology
CDBA120SL-HF
Comchip Technology
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel