casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CURC302-G
codice articolo del costruttore | CURC302-G |
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Numero di parte futuro | FT-CURC302-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CURC302-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CURC302-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CURC302-G-FT |
CSFA102-G
Comchip Technology
CSFA103-G
Comchip Technology
CSFA104-G
Comchip Technology
CURA103-G
Comchip Technology
CURA104-G
Comchip Technology
CURA107-HF
Comchip Technology
CDBA1100-G
Comchip Technology
CDBA120-G
Comchip Technology
CDBA120L-G
Comchip Technology
CDBA120LL-G
Comchip Technology
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel